參數(shù)資料
型號： HY51V18163HGJ
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 1M x 16Bit EDO DRAM
中文描述： 100萬× 16 EDO公司的DRAM
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： HY51V18163HGJ
HY51V(S)18163HG/HGL
Rev.0.1/Apr.01
9
EDO Page Mode Cycle
EDO Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Self Refresh Mode(L-version)
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
EDO mode cyle time
tHPC
20
-
25
-
30
-
ns
25
EDO mode /RAS pulse width
tRASP
-
100K
-
100K
-
100K
ns
16
Access time from /CAS precharge
tACP
-
30
-
35
-
40
ns
9,17,22
/RAS hold time from /CAS precharge
tRHCP
30
-
35
-
40
-
ns
Output data hold time from /CAS low
tDOH
3
-
3
-
3
-
ns
9
/CAS hold time referred /OE
tCOL
8
-
10
-
13
-
ns
/CAS to /OE setup time
tCOP
5
-
5
-
5
-
ns
Read command hold time
from /CAS precharge
tRHCP
30
-
35
-
40
-
ns
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
EDO Page read-modify-write cycle time
tHPRWC
57
-
68
-
79
-
ns
EDO mode read-modify-write cycle
/CAS precharge to /WE delay time
tCPW
45
-
54
-
62
-
ns
14,22
Parameter
Symbol
-50
-60
-70
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
/RAS pulse width (self refresh)
tRASS
100
-
100
-
100
-
us
29
/RAS precharge time(self refresh)
tRPS
90
-
110
-
130
-
ns
/CAS hold time(self refresh)
tCHS
-50
-
-50
-
-50
-
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY51V18163HGJ-5 1M x 16Bit EDO DRAM
HY51V18163HGJ-6 1M x 16Bit EDO DRAM
HY51V18163HGT-7 1M x 16Bit EDO DRAM
HY51VS18163HG 1M x 16Bit EDO DRAM
HY51V18163HGJ-7 1M x 16Bit EDO DRAM
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