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參數(shù)資料
| 型號： | HY29LV800B-70 |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（100萬x 8/512K × 16）低壓快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 7/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 556K |
| 代理商： | HY29LV800B-70 |
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7
Rev. 1.0/Nov. 01
HY29LV800
Table 3. HY29LV800 Normal Bus Operations
1
Notes:
1. L = V
, H = V
, X = Don
’
t Care (L or H), D
= Data Out, D
= Data In. See DC Characteristics for voltage levels.
2. Address is A[18:0, -1] in Byte Mode and A[18:0] in Word Mode.
3. DQ[15] is the A[-1] input in Byte Mode (BYTE# = L).
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Table 4. HY29LV800 Bus Operations Requiring High Voltage
1, 2
Notes:
1. L = V
, H = V
, X = Don
’
t Care (L OR H). See DC Characteristics for voltage levels.
2. Address bits not specified are Don
’
t Care.
3. See text and for additional information.
4. SA = Sector Address. See Tables 1 and 2.
5. DQ[15] is the A[-1] input in Byte Mode (BYTE# = L).
6. Normal read, write and output disable operations are used in this mode. See Table 3.
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