參數(shù)資料
型號(hào)： HY29LV400BF55I
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory
中文描述： 4兆位（為512k × 8/256K × 16）低壓快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 23/40頁(yè)
文件大?。?/td> 564K
代理商： HY29LV400BF55I
23
Rev. 1.0/Nov. 01
HY29LV400
DC CHARACTERISTICS
Zero Power Flash
Figure 11. I
CC1
Current vs. Time (Showing Active and Automatic Sleep Currents)
Note:
Addresses are switching at 1 MHz.
Figure 12. Typical I
CC1
Current vs. Frequency
Note:
T = 25
°
C.
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
5
10
15
20
Time in ns
S
1
2
3
4
5
0
2
4
6
Frequency in MHz
S
8
2.7 V
3.6 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY29LV400BF70 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV400BF70I 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV400BF90 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV400BF90I 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV400BT55 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY29LV400BF70 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV400BF70I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV400BF90 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV400BF90I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV400BT55 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory
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