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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY29LV160BT-12 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/48頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 517K |
| 代理商： | HY29LV160BT-12 |
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27
Rev. 1.2/May 01
HY29LV160
TEST CONDITIONS
Table 12. Test Specifications
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g
l
v
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L
l
n
g
Note:
Timing measurements are made at the reference
levels specified above regardless of where the illustrations
in the timing diagrams appear to indicate the measurement
is made
Figure 13. Test Setup
Measurement Level
1.5 V
Output
I
nput
1.5 V
0.0 V
3.0 V
Figure 14. Input Waveforms and Measurement Levels
n
0
0
7
8
-
-
0
2
G
0
9
1
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0
1
-
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5
V
6.2
KOhm
C
L
2.7
KOhm
+ 3.3V
DEVICE
UNDER
TEST
All diodes
are
1N3064
or
equivalent
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R
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F
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V
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KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29LV160TF-12 | Circular Connector; No. of Contacts:55; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:22; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:22-55 |
| HY29LV160TF-12I | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160TT-12 | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160TT-12I | 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400BF55 | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29LV160BT-12I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160BT-70 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160BT-70I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160BT-80 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV160BT-80I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory |
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