參數資料
型號： HY27UF161G2M-VPMP
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
中文描述： 1Gbit的（128Mx8bit / 64Mx16bit）NAND閃存
文件頁數： 20/48頁
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代理商： HY27UF161G2M-VPMP
Rev 0.7 / Apr. 2005
20
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Item
Symbol
Test Condition
Min
Max
Unit
Input / Output Capacitance (1)
C
I/O
V
IL
=0V
-
10
pF
Input Capacitance(1)
C
IN
V
IN
=0V
-
10
pF
Table 11: Pin Capacitance (TA= 25C, F= 1.0MHz)
Note:
1. For the stacked devices version the Input Capacitance is <TBD> and the I/O capacitance is <TBD>
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program Time
t
PROG
-
300
700
us
Dummy Busy Time for Cache Program
t
CBSY
-
3
700
us
Number of partial Program Cycles in the same page
Main Array
NOP
-
-
4
Cycles
Spare Array
NOP
-
-
4
Cycles
Block Erase Time
t
BERS
-
2
3
ms
Table 12: Program / Erase Characteristics
相關PDF資料
PDF描述
HY27LF161G2M-VPMP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF161G2M-VPMP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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HY29F800ABG-12I 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F800ABG-55 8 Megabit (1Mx8/512Kx16), 5 Volt-only, Flash Memory
相關代理商/技術參數
參數描述
HY27UF161G2M-VPMS 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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