參數(shù)資料
型號(hào)： HY23V16202T
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： 1MX16/2MX8 BIT CMOS MASK ROM
中文描述： 1MX16/2MX8位CMOS掩膜ROM
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 105K
代理商： HY23V16202T
HY23V16202
1MX16/2MX8 BIT
CMOS MASK ROM
Description
The HY23V16202 high performance read only memory is organized either as 2,097,152 x 8 bit (byte mode) or
as 1,048,576 x 16 bit(word mode) followed by BHE mode select. The low power feature allows the battery
operation. The large size of 16M bit memory density is ideal for character generator, data or program
memory in micro-processor application. The HY23V16202 is packaged 42pin DIP , 44 pin SOP, 44 pin
TSOP-II or 48 pin TSOP-I.
Key features
Switchable Organization
Byte Mode : 2,097,152 X 8 bit
Word Mode : 1,048,576 X 16 bit
Single 3.3V power supply operation
Access Time : 100/120ns (Max)
Standby Current : 50
Operating Current : 35
TTL compatible inputs and outputs
3-State outputs for wired-OR expansion
Word or Byte switchable by BHE pin
Fully static operation
Package
HY23V16202D : 42pin Plastic DIP(600 mil)
HY23V16202S : 44pin Plastic SOP(500mil)
HY23V16202T : 44pin Plastic TSOP-II(400mil)
HY23V16202M : 48pin Plastic TSOP-I(12x20mm)
HY23V16202F : 48pin Plastic TSOP-I(12x20mm)
(Max)
(Max)
Pin Description
Pin
Function
A0~A19
Address inputs
Q0~Q14
Q15/A-1
Data Outputs
Output Q15(Word Mode)/
LSB Address(Byte Mode)
BHE
Byte High Enable input
(Word/Byte selection)
CEB*
Chip Enable input
OEB*
Output Enable input
VCC
Power supply
VSS
Ground
NC
No Connection
Pin Configuration
* User selectable polarity
Rev0 Page 1 of 8
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
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Q4
VCC
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BHE
VSS
Q15/A-1
NC
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CEB
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VCC
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A12
A13
A14
A15
A16
BHE
VSS
Q15/A-1
HY23V16202D
HY23V16202S
42DIP
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
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1
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44SOP
1
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9
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Q0
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Q5
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A15
A16
BHE
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Q15/A-1
1
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9
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20
21
NC
NC
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
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23
44TSOP-
HY23V16202T
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HY26 制造商:RICHARDSON ELECTRONICS 功能描述:Electron Tube, Drop Ship:58P0542
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