- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄370738 > HY18CV8S-35 Electrically-Erasable PLD PDF資料下載
參數資料
| 型號： | HY18CV8S-35 |
| 英文描述： | Electrically-Erasable PLD |
| 中文描述： | 電可擦除可編程邏輯器件 |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 449K |
| 代理商： | HY18CV8S-35 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY2004 | 120 WATTS Power Amplifier |
| HY2262 | HY2262 |
| HY23V16202 | 1MX16/2MX8 BIT CMOS MASK ROM |
| HY23V16202D | 1MX16/2MX8 BIT CMOS MASK ROM |
| HY23V16202F | 1MX16/2MX8 BIT CMOS MASK ROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY18N20D | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:200V / 18A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY18N20T | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:200V / 18A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY18N50W | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 18A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY19-12 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述: |
| HY19-12LF | 功能描述:COUPLER 90DEG 0.88-0.96GHZ 8SOIC RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 定向耦合器 系列:- 其它有關文件:CPL-WB-01C2 View All Specifications 標準包裝:1 系列:- 耦合器類型:標準 頻率:824MHz ~ 2.025GHz 耦合系數:34dB 應用:通用 插入損耗:0.2dB 功率 - 最大:- 隔離:- 回程損耗:15dB 封裝/外殼:6-WFBGA，FCBGA 供應商設備封裝:6-覆晶 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:497-12155-6 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。