| 型號: | HUF76405T3ST |
| 英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | SOT-223 |
| 中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 2.2AI(四)|的SOT - 223 |
| 文件頁數(shù): | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 673K |
| 代理商: | HUF76405T3ST |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF76409S3S | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| HUF76409T3S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SOT-223 |
| HUF76413D3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
| HUF76413D3T | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251AA |
| HUF76413S3S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HUF76407D3 | 功能描述:MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76407D3S | 功能描述:MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76407D3ST | 功能描述:MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HUF76407DK8 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:3.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET |
| HUF76407DK8T | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |