參數(shù)資料
型號(hào): HUF75639S3ST
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 1/10頁(yè)
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描述: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: UltraFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 56A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫歐 @ 56A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 20V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 25V
功率 - 最大: 200W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263AB
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: HUF75639S3STDKR