參數(shù)資料
型號(hào)： HUF75637S3ST
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直|第44A（丁）|對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
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代理商： HUF75637S3ST
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75307P3, HUF75307D3, HUF75307D3S Rev. B
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORM
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 19. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
G(REF)
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 2V
Q
g(10)
V
GS
= 10V
Q
g(TOT)
V
GS
= 20V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
HUF75307P3, HUF75307D3, HUF75307D3S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF75639S3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 53A I(D) | TO-263AB
HUF75645P3T TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
HUF75645S3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
HUF75842S3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 43A I(D) | TO-263AB
HUF76105SK8T TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | SO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HUF75639G3 功能描述:MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75639G3 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
HUF75639G3_Q 功能描述:MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75639P3 功能描述:MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75639P3 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFETN CH100V56ATO-220AB 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET,N CH,100V,56A,TO-220AB
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