參數(shù)資料
型號(hào)： HUF75309D3ST
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252AA
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 17A條（?。﹟對(duì)252AA
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 215K
代理商： HUF75309D3ST
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75307P3, HUF75307D3, HUF75307D3S Rev. B
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORM
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 19. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
G(REF)
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 2V
Q
g(10)
V
GS
= 10V
Q
g(TOT)
V
GS
= 20V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
HUF75307P3, HUF75307D3, HUF75307D3S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF75321D3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA
HUF75321S3 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-262AA
HUF75321S3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
HUF75329D3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA
HUF75329S3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HUF75309D3ST_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
HUF75309P3 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75309P3_Q 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75309T3ST 功能描述:MOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75321D3 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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