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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HSM276S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer(用于平衡混頻器的肖特基勢(shì)壘二極管) |
| 中文描述： | 硅肖特基二極管平衡混頻器（用于平衡混頻器的肖特基勢(shì)壘二極管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | HSM276S |
HSM276S
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Value
Unit
Reverse voltage
V
R
I
O
Tj
3
V
Average rectified current
30
mA
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +125
Electrical Characteristics (Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Reverse voltage
V
R
I
R
I
F
C
3.0
—
—
V
I
R
= 1 mA
V
R
= 0.5V
V
F
= 0.5V
V
R
= 0.5V, f = 1 MHz
V
R
= 0.5V, f = 1 MHz
C=200pF , Both forward and reverse
direction 1 pulse.
Reverse current
—
—
50
μ
A
Forward current
35
—
—
mA
Capacitance
—
—
0.90
pF
Capacitance deviation
C
—
—
0.10
pF
ESD-Capability
*1
—
30
—
—
V
Notes
1. Failure criterion ; IR
≥
100
μ
A at VR =0.5 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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