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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HSM123TR |
| 元件分類(lèi)： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | SC-59A, MPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | HSM123TR |
HSM123
REJ03G0550-0800 Rev.8.00 Dec 12, 2008
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Absolute Maximum Ratings *
1
(Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Value
Unit
Peak reverse voltage
VRM
85
V
Reverse voltage
VR
80
V
Peak forward current
IFM
300
mA
Non-Repetitive peak forward surge current
IFSM *
2
4
A
Average rectified current
IO
100
mA
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes: 1. Per one device.
2. Within 1
μs forward surge current.
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
VF
—
0.70
1.0
V
IF = 10 mA
VF
—
0.79
1.0
V
IF = 50 mA
Forward voltage
VF
—
0.85
1.2
V
IF = 100 mA
Reverse current
IR
—
0.1
μA
VR = 80 V
Capacitance
C
—
1.0
4.0
pF
VR = 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time
trr
—
3.0
ns
IF = 10 mA, VR = 6 V, RL = 50 Ω
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSMP-3804-BLK | 100 V, SILICON, PIN DIODE |
| HSMP-3805#L31 | SILICON, PIN DIODE |
| HSMS-270P-BLKG | UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| HSMS-2800-TR2 | SILICON, MIXER DIODE |
| HSMS-280E-BLKG | SILICON, MIXER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HSM124 | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Diode for Switching |
| HSM124S | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Diode for Switching |
| HSM124S-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:HSM124S-E |
| HSM124STL-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| HSM125WK | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述: |
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