參數(shù)資料
型號(hào)： HN58C256AT-10
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A)
中文描述： 256k的EEPROM（32 KWord的× 8位）就緒/忙和RES功能（HN58C257A）
文件頁數(shù)： 6/25頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： HN58C256AT-10
HN58C256A Series, HN58C257A Series
6
AC Characteristics
(Ta = 0 to +70°C, V
CC
= 5 V±10%)
Test Conditions
Input pulse levels: 0.4 V to 3.0 V
0 V to V
CC
(
RES
pin*
2
)
Input rise and fall time:
≤
5 ns
Input timing reference levels: 0.8, 2.0 V
Output load: 1TTL Gate +100 pF
Output reference levels: 1.5 V, 1.5 V
Read Cycle
HN58C256A/HN58C257A
-85
-10
Parameter
Symbol Min
Max
Min
Max
Unit
Test conditions
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
Address to output delay
t
ACC
—
85
—
100
ns
CE
to output delay
OE
to output delay
t
CE
t
OE
t
OH
—
85
—
100
ns
10
40
10
50
ns
Address to output hold
0
—
0
—
ns
OE
(
CE
) high to output float*
1
RES
low to output float*
1, 2
t
DF
t
DFR
0
40
0
40
ns
0
350
0
350
ns
RES
to output delay*
2
t
RR
0
450
0
450
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HN58C257A 256 k EEPROM (32-kword ×8-bit)(256k EEPROM (32k字 ×8位))
HN58C65 8192-word ×8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM(8k字×8位 EEPROM)
HN58C65P-25 8192-word X 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM
HN58C65FP-25 8192-word X 8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM
HN58C66 8192-word ×8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM(8k字×8位 EEPROM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HN58C256AT-85 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A)
HN58C256ATI-10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EEPROM
HN58C256ATI-85 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EEPROM
HN58C256FP-15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EEPROM
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