- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄370645 > HN29W25611 (Hitachi,Ltd.) 256M AND type Flash Memory(256M AND型閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29W25611 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256M AND type Flash Memory(256M AND型閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 256M AND型快閃記憶體（256M及型閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 347K |
| 代理商： | HN29W25611 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)當(dāng)前第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)
HN29W25611 Series
23
Timing Waveforms
Power on and off Sequence
t
VRS
t
RP
t
CES
t
t
CEH
t
CESR
t
RP
t
BSY
t
CES
t
CEH
t
VRH
t
DFP
t
CWRH
t
CESR
t
CWRS
V
CC
CE
WE
RES
RDY
/
Busy
*
1
*
2
*
1
Notes: 1.
RES
must be kept at the V
ILR
level referred to DC characteristics at the rising and falling edges of V
CC
to guarantee data stored in the chip.
2.
RES
must be kept at the V
IHR
level referred to DC characteristics while I/O7 outputs the V
OL
level in the
status data polling and RDY/
Busy
outputs the V
OL
level.
3. : Undefined
!
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HN29W256H02TE | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲(chǔ)器控制器) |
| HN29W6411A | 64M AND type Flash Memory(64M AND型閃速存儲(chǔ)器) |
| HN29W6484AH03TE | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲(chǔ)器控制器) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HN29W25611ST-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:EEPROM|AND FLASH|33MX8|CMOS|TSSOP|48PIN|PLASTIC |
| HN29W25611T | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
| HN29W25611T-50 | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
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