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參數(shù)資料
| 型號： | HN29VT800R-10 |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 1/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 338K |
| 代理商： | HN29VT800R-10 |
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HN29V102414 Series
1G AND type Flash Memory
More than 32,113-sector (542,581,248-bit)
×
2
ADE-203-1265B (Z)
Rev. 1.0
Jan. 25, 2002
Description
The Hitachi HN29V102414 Series is a CMOS Flash Memory with AND type multi-level memory cells. It
has fully automatic programming and erase capabilities with a single 3.0 V power supply. The functions are
controlled by simple external commands. To fit the I/O card applications, the unit of programming and erase
is as small as (2048 + 64) bytes. Initial available sectors of HN29V102414 are more than 64,226 (98% of all
sector address) and less than 65,536 sectors.
Features
On-board single power supply (V
CC
): V
CC
= 2.7 V to 3.6 V
Organization
AND Flash Memory: (2048 + 64) bytes
×
(More than 32,113 sectors)
× 2
Data register: (2048 + 64) bytes
× 2
Multi-level memory cell
2 bit/per memory cell
Automatic programming
Sector program time: 1.0 ms (typ)
System bus free
Address, data latch function
Internal automatic program verify function
Status data polling function
Automatic erase
Single sector erase time: 1.0 ms (typ)
System bus free
Internal automatic erase verify function
Status data polling function
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29VT800R-12 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VT800SERIES | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VT800T-10 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VT800T-12 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29W12811T | Flash Application Design Guidelines Others |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29VT800R-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VT800SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VT800T-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VT800T-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29W12811 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit) |
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