參數(shù)資料
型號(hào)： HMC473MS8
廠商： 美國訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： GaAs MMIC VOLTAGE-VARIABLE ATTENUATOR, 0.45 - 2.2 GHz
中文描述： 砷化鎵MMIC電壓可變衰減器，0.45 - 2.2吉赫
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： HMC473MS8
MICROWAVE CORPORATION
9 - 113
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A
9
v00.1103
Control and Bias Voltage
HMC473MS8
GaAs MMIC VOLTAGE-VARIABLE
ATTENUATOR, 0.45 - 2.2 GHz
Absolute Maximum Ratings
V
CTL
-0.2 Vdc to Vdd
Vdd
+8 Vdc
Maximum Input Power
Vdd = +3.3 Vdc
+29 dBm
+21 dBm
Min. Atten.
Attenuation >2 dB
Channel Temperature (Tc)
150 °C
Thermal Resistance (R
TH
)
(junction to lead)
92 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-40 to +85 °C
V
CTL
0 to +3 Vdc @ 1 μA
Vdd
+3.3 Vdc +/- 0.1 Vdc @ 10 μA
Relative Attenuation vs.
Control Voltage @ 2.1 GHz
0
Return Loss vs.
Control Voltage @ 2.1 GHz
0
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
+25 C
A
CONTROL VOLTAGE (V)
-25
-20
-15
-10
-5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
+25 C
R
CONTROL VOLTAGE (V)
Worse Case Input P1dB vs. Temperature
5
10
15
20
25
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
+25 C
I
FREQUENCY (GHz)
Relative Attenuation vs. Control Voltage
0
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
1.0 V
A
FREQUENCY (GHz)
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