參數(shù)資料
型號： HMC469MS8G
廠商： 美國訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： SiGe HBT DUAL CHANNEL GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 5.0 GHz
中文描述： SiGe HBT的雙通道增益塊MMIC放大器，直流- 5.0吉赫
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： HMC469MS8G
MICROWAVE CORPORATION
8 - 310
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A
8
HMC469MS8G
v00.0504
SiGe HBT DUAL CHANNEL GAIN
BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 5.0 GHz
Outline Drawing
Absolute Maximum Ratings
Collector Bias Voltage (Vcc)
+6.0 Vdc
Collector Bias Current (Icc)
100 mA
RF Input Power (RFin)(Vcc = +4.2 Vdc)
+17 dBm
Junction Temperature
150 °C
Continuous Pdiss (T = 85 °C)
(derate 29.58 mW/°C above 85 °C)
1.92 W
Thermal Resistance
(junction to ground paddle)
33.8 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-40 to +85 °C
NOTES:
1. PACKAGE BODY MATERIAL: LOW STRESS INJECTION MOLDED
PLASTIC SILICA AND SILICON IMPREGNATED.
2. LEAD AND GROUND PADDLE MATERIAL: COPPER ALLOY
3. LEAD AND GROUND PADDLE PLATING: Sn/Pb SOLDER
4. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS].
5. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.15mm PER SIDE.
6. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.25mm PER SIDE.
7. ALL GROUND LEADS AND GROUND PADDLE MUST BE SOLDERED TO
PCB RF GROUND.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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HMC470ALP3ETR 功能描述:RF Attenuator 31dB ±0.3dB 0Hz ~ 3GHz 16-VFQFN Exposed Pad 制造商:analog devices inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 衰減值:31dB 容差:±0.3dB 頻率范圍:0Hz ~ 3GHz 功率（W）:- 阻抗:- 封裝/外殼:16-VFQFN 裸露焊盤 標準包裝:1
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