參數(shù)資料
型號(hào)： HMC347C8
廠商： 美國(guó)訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： GaAs MMIC SMT HIGH ISOLATION SPDT SWITCH, DC - 8.0 GHz
中文描述： 砷化鎵微波單片集成電路表面貼裝高隔離度單刀雙擲開(kāi)關(guān)，直流- 8.0吉赫
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 182K
代理商： HMC347C8
MICROWAVE CORPORATION
14 - 200
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S
14
HMC347G8
GaAs MMIC HERMETIC SMT SPDT
SWITCH, DC - 8.0 GHz
v01.0404
General Description
Features
Functional Diagram
The HMC347G8 is a broadband high isolation
non-reflective GaAs MESFET SPDT switch in a 8
lead glass/metal (hermetic) surface mount pack-
age. Covering DC to 8.0 GHz, the switch features
>42 dB isolation up to 2 GHz and >25 dB isolation
up to 8.0 GHz. The switch operates using com-
plementary negative control voltage logic lines of
-5/0V and requires no bias supply. This SPDT is a
good replacement for the HMC132G7 SPDT.
Isolation: 42 dB @ 2.5 GHz
30 dB @ 6.0 GHz
Insertion Loss: 2.0 dB @ 6.0 GHz
Non-Reflective Design
8 Lead Hermetic SMT Package
Electrical Specifications,
T
A
= +25° C, With 0/-5V Control, 50 Ohm System
Typical Applications
The HMC347G8 is ideal for:
Telecom Infrastructure
Microwave Radio & VSAT
Military Radios, Radar & ECM
Test Instrumentation
Parameter
Frequency
Min.
Typ.
Max.
Units
Insertion Loss
DC - 2.0 GHz
DC - 6.0 GHz
DC - 8.0 GHz
2.0
2.2
2.2
2.3
2.6
2.7
dB
dB
dB
Isolation
DC - 2.0 GHz
DC - 6.0 GHz
DC - 8.0 GHz
41
27
25
45
30
28
dB
dB
dB
Return Loss
“On State”
DC - 2.0 GHz
DC - 8.0 GHz
9
6
12
10
dB
dB
Return Loss RF1, RF2
“Off State”
DC - 2.0 GHz
DC - 8.0 GHz
9
6
dB
dB
Input Power for 1 dB Compression
0.5 - 8.0 GHz
19
23
dBm
Input Third Order Intercept
(Two-Tone Input Power= +7 dBm Each Tone, 1 MHz Tone Separation)
0.5 - 8.0 GHz
38
43
dBm
Switching Characteristics
tRISE, tFALL (10/90% RF)
tON, tOFF (50% CTL to 10/90% RF)
DC - 8.0 GHz
3
6
ns
ns
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PDF描述
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HMC347G8 制造商:HITTITE 制造商全稱:Hittite Microwave Corporation 功能描述:GaAs MMIC HERMETIC SMT SPDT SWITCH, DC - 8 GHz
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