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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM65W8512 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 4 M PSRAM (512-kword ×8-bit)(4 M PSRAM (512k字 ×8位)) |
| 中文描述： | 4個(gè)M移動(dòng)存儲(chǔ)芯片（512 KWord的× 8位）（4個(gè)M移動(dòng)存儲(chǔ)芯片（為512k字× 8位）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/20頁(yè) |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | HM65W8512 |
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HM65W8512 Series
9
AC Characteristics
(Ta = 0 to +70
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, unless otherwise noted.)
Test Conditions
Input pulse levels: 0.6 V, 2.4 V
Input rise and fall time: 5 ns
Timing measurement level: 1.5 V
Reference levels: V
OH
= 2.1 V, V
OL
= 0.9 V
Output load: C
L
(50 pF) (Including scope and jig)
HM65W8512-12
HM65W8512-15
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Random read or write cycle time
t
RC
t
CEA
t
RWC
t
OEA
CHZ
t
CLZ
t
OHZ
t
OLZ
t
CE
t
P
t
AS
t
AH
t
RCS
t
RCH
t
WP
t
CW
t
OCD
190
—
230
—
ns
Chip enable access time
—
120
—
150
ns
Read-modify- write cycle time
250
—
290
—
ns
Output enable access time
—
60
—
80
ns
Chip disable to output in high-Z
0
30
0
30
ns
1, 2
Chip enable to output in low-Z
20
—
20
—
ns
2
Output disable to output in high-Z
—
30
—
30
ns
1, 2
Output enable to output in low-Z
0
—
0
—
ns
2
Chip enable pulse width
120
10000
150
10000
ns
Chip enable precharge time
70
—
80
—
ns
Address setup time
0
—
0
—
ns
Address hold time
30
—
30
—
ns
Read command setup time
0
—
0
—
ns
Read command hold time
0
—
0
—
ns
Write command pulse width
35
—
35
—
ns
Chip enable to end of write
120
—
150
—
ns
Chip enable to output enable delay
time
0
—
0
—
ns
Output enable hold time
t
OHC
15
—
15
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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