參數(shù)資料
型號(hào)： HM658512ALTT-8
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 4 M PSRAM (512-kword x 8-bit) 2 k Refresh
中文描述： 4個(gè)M移動(dòng)存儲(chǔ)芯片（512 KWord的× 8位）2度刷新
文件頁(yè)數(shù)： 9/22頁(yè)
文件大?。?/td> 105K
代理商： HM658512ALTT-8
HM658512A Series
9
DC Characteristics
(Ta = 0 to +70°C, V
CC
= 5 V ± 10 %, V
SS
= 0 V)
Parameter
Symbol Min
Typ
Max Unit Test conditions
Notes
Operating power supply current I
CC1
—
—
75
mA
I
I/O
= 0 mA
t
cyc
= min
CE
= V
, Vin
≥
0 V
OE
/
RFSH
= V
IH
CE
≥
V
– 0.2 V, Vin
≥
0 V,
OE
/
RFSH
≥
V
CC
– 0.2 V
CE
≥
V
– 0.2 V, Vin
≥
0 V,
OE
/
RFSH
≥
V
CC
– 0.2 V
CE
= V
, Vin
≥
0 V,
OE
/
RFSH
= V
IL
CE
≥
V
– 0.2 V, Vin
≥
0 V,
OE
/
RFSH
≤
0.2 V
CE
≥
V
– 0.2 V, Vin
≥
0 V,
OE
/
RFSH
≤
0.2 V
Standby power supply current
I
SB1
—
1
2
mA
I
SB2
—
20
200
μ
A
1
100
μ
A
2
Operating power supply current
in self refresh mode
I
CC2
—
1
2
mA
I
CC3
—
70
200
μ
A
1
40
100
μ
A
2
Input leakage current
I
LI
I
LO
–10
—
10
μ
A
μ
A
V
CC
= 5.5 V, Vin = V
SS
to V
CC
OE
/
RFSH
= V
IH
V
I/O
= V
SS
to V
CC
I
OL
= 2.1 mA
I
OH
= –1 mA
Output leakage current
–10
—
10
Output voltage
V
OL
V
OH
—
—
0.4
V
2.4
—
—
V
Notes: 1. Only for L-version.
2. Only for V-version.
Capacitance
(Ta = 25°C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Typ
Max
Unit
Test conditions
Input capacitance
C
in
C
I/O
—
8
pF
V
in
= 0 V
V
I/O
= 0 V
Input /output capacitance
Note : This parameter is sampled and not 100% tested.
—
10
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM658512ALTT-8V 4 M PSRAM (512-kword x 8-bit) 2 k Refresh
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HM6615100 50000 SYSTEM GATE 2.5 VOLT FPGA - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
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