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參數資料
| 型號： | HM62W16255HLJP-15 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) |
| 中文描述： | 4分高速SRAM（256 - KWord的x 16位） |
| 文件頁數： | 14/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | HM62W16255HLJP-15 |
HM62W16255H Series
14
Low V
CC
Data Retention Characteristics
(Ta = 0 to +70
°
C)
This characteristics is guaranteed only for L-version.
Parameter
Symbol
Min
Typ*
1
Max
Unit
Test conditions
V
≥
CS
≥
V
CC
– 0.2 V,
(1) 0 V
≤
Vin
≤
0.2 V or
(2) V
CC
≥
Vin
≥
V
CC
– 0.2 V
V
CC
= 3 V
V
≥
CS
≥
V
CC
– 0.2 V,
(1) 0 V
≤
Vin
≤
0.2 V or
(2) V
CC
≥
Vin
≥
V
CC
– 0.2 V
See retention waveform
V
CC
for data retention
V
DR
2.0
—
—
V
Data retention current
I
CCDR
—
40
600
μ
A
Chip deselect to data retention time
t
CDR
t
R
0
—
—
ns
Operation recovery time
Note:
1. Typical values are at V
CC
= 3.0 V, Ta = +25C, and not guaranteed.
5
—
—
ms
Low V
CC
Data Retention Timing Waveform
V
CC
3.0 V
2.2 V
0 V
CS
t
CDR
t
R
V
CC
≥
CS
≥
V
CC
– 0.2 V
V
DR
Data retention mode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM62W16255HTT-12 | 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) |
| HM62W16255HTT-15 | 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) |
| HM62W16255H | 4M High Speed SRAM (256-kword ×16-bit)(4M高速靜態(tài)RAM(256k字 ×16位)) |
| HM62W16256BLTT-5 | 4 M SRAM (256-kword x 16-bit) |
| HM62W16256BLTT-5SL | RES 100-OHM 1% 0.25W 100PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HM62W4100HJP15 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HM62W8512BLFP-5 | 制造商:HITACHI 功能描述: |
| HM62W8512BLTTI7 | 制造商:Hitachi 功能描述: |
| HM-630 | 制造商:Black Box Corporation 功能描述:FACE PLATE:HM-STAINLESS |
| HM63021FP | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC |
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