參數(shù)資料
型號: HM62256P-12
英文描述: x8 SRAM
中文描述: x8的SRAM
文件頁數(shù): 4/15頁
文件大小: 143K
代理商: HM62256P-12
HM62256B Series
4
Block Diagram
A12
A5
A3
(MSB)
(LSB)
A14
A13
A4
A8
A7
A6
I/O0
I/O7
CS
WE
OE
(LSB)
A11
(MSB)
A9
V
V
CC
SS
Row
Decoder
Memory Matrix
512 512
Column I/O
Column Decoder
Input
Data
Control
Timing Pulse Generator
Read/Write Control
Function Table
WE
CS
OE
Mode
V
CC
Current
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I/O Pin
Ref. Cycle
X
H
X
Not selected
High-Z
H
L
H
Output disable
High-Z
H
L
L
Read
Dout
Read cycle (1)
(3)
L
L
H
Write
Din
Write cycle (1)
L
Note:
L
L
Write
Din
Write cycle (2)
X: H or L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM62256P-15 x8 SRAM
HM62256P-8 x8 SRAM
HM62256PI15 x8 SRAM
HM62256BLFP-4SLT x8 SRAM
HM62256BLFP8 IC-SM-256K CMOS SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HM62256P-8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM
HM62256PI15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM
HM62-2610100MLFTR 功能描述:POWER INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器,線圈,扼流圈 >> 固定式 系列:HM62 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm) 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz
HM62-2610150MLFTR 功能描述:POWER INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器,線圈,扼流圈 >> 固定式 系列:HM62 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H(7.94mm x 2.92mm x 3.43mm) 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz