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參數(shù)資料
| 型號： | HM62256P-10 |
| 英文描述： | x8 SRAM |
| 中文描述： | x8的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 13/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 143K |
| 代理商： | HM62256P-10 |
HM62256B Series
13
Low V
CC
Data Retention Characteristics
(Ta = 0 to +70
°
C)
Parameter
Symbol
Min
Typ*
1
Max
Unit
Test Conditions
*6
CS
≥
V
CC
–
0.2 V,
Vin
≥
0 V
V
CC
= 3.0 V, Vin
≥
0 V
CS
≥
V
CC
–
0.2 V,
V
CC
for data retention
V
DR
2.0
—
5.5
V
Data retention current
I
CCDR
—
0.05
30
*2
μ
A
—
0.05
10
*3
—
0.05
3
*4
Chip deselect to data retention time t
CDR
Operation recovery time
Notes: 1. Typical values are at V
CC
= 3.0 V, Ta = 25
°
C and not guaranteed.
2. 10
μ
A max at Ta = 0 to + 40
°
C.
3. This characteristics guaranteed for only L-SL version. 3
μ
A max at Ta = 0 to +40
°
C.
4. This characteristics guaranteed for only L-UL version. 0.6
μ
A max at Ta = 0 to +40
°
C.
5. t
RC
= read cycle time.
6.
CS
controls address buffer,
WE
buffer,
OE
buffer, and Din buffer. If
CS
controls data
retention
mode, other input levels (address,
WE
,
OE
, I/O) can be in the high impedance state.
0
—
—
ns
See retention waveform
t
R
t
RC
*5
—
—
ns
Low V
CC
Data Retention Timing Waveform
V
V
CC
CS
Data retention mode
t
R
4.5V
DR
2.2V
0V
CS > V - 0.2V
CDR
t
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM62256P-12 | x8 SRAM |
| HM62256P-15 | x8 SRAM |
| HM62256P-8 | x8 SRAM |
| HM62256PI15 | x8 SRAM |
| HM62256BLFP-4SLT | x8 SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM62256P-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| HM62256P-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| HM62256P-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| HM62256PI15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| HM62-2610100MLFTR | 功能描述:POWER INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM62 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
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