參數(shù)資料
型號： HM5225405BTT-75
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述： 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 33/63頁
文件大?。?/td> 462K
代理商： HM5225405BTT-75
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
33
Write with auto precharge to Read command interval
1.
Different bank:
When some banks are in the active state, the second read command (another bank) is
executed. However, in case of a burst write, data will continue to be written until one clock before the read
command is executed. The internal auto-precharge of one bank starts at the next clock of the second
command.
Write with Auto Precharge to Read Command Interval
(Different bank)
CLK
Command
BS
Dout
Din
WRIT A
READ
out B0
out B1
out B2
out B3
CAS
Latency = 3
Burst Length = 4
bank0
Write A
bank3
Read
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
DQM,
DQMU/DQML
in A0
2. Same bank:
The consecutive read command from write with auto precharge (the same bank) is illegal. It
is necessary to separate the two commands with a bank active command.
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PDF描述
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