參數(shù)資料
型號(hào)： HM5225405BLTT-75
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： POT 20K OHM 9MM HORZ NO BUSHING
中文描述： 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 24/63頁(yè)
文件大?。?/td> 462K
代理商： HM5225405BLTT-75
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
24
Write operation:
Burst write or single write mode is selected by the OPCODE (BA1, BA0, A12, A11, A10,
A9, A8) of the mode register.
1. Burst write:
A burst write operation is enabled by setting OPCODE (A9, A8) to (0, 0). A burst write
starts in the same clock as a write command set. (The latency of data input is 0 clock.) The burst length can
be set to 1, 2, 4 and 8, like burst read operations. The write start address is specified by the column address
and the bank select address (BA0/BA1) at the write command set cycle.
WRIT
CLK
Command
Din
ACTV
Row
Column
in 0
in 6
in 7
Address
in 1
in 4
in 5
in 3
BL = 1
BL = 2
BL = 4
BL = 8
t
RCD
in 0
in 0
in 0
in 1
in 1
in 2
in 2
in 3
CAS
Latency = 2, 3
2. Single write:
A single write operation is enabled by setting OPCODE (A9, A8) to (1, 0). In a single write
operation, data is only written to the column address and the bank select address (BA0/BA1) specified by the
write command set cycle without regard to the burst length setting. (The latency of data input is 0 clock).
WRIT
CLK
Command
Din
ACTV
Row
Column
in 0
Address
t
RCD
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PDF描述
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