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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5225325F-B60 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/100 SDRAM |
| 中文描述： | 256M LVTTL接口SDRAM的100兆赫1 - Mword × 64位× 4-bank/2-Mword × 32位× 4個(gè)銀行PC/100 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 8/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | HM5225325F-B60 |
HM5225645F-B60, HM5225325F-B60
8
Power-up Sequence and Initialization Sequence
V
CC
Power up sequence
Initialization sequence
100
μ
s
0 V
Low
Low
Low
CKE, DQMB
CLK
CS
, DQ
200
μ
s
Power stabilize
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Note
Voltage on any pin relative to V
SS
V
T
–0.5 to V
+ 0.5
(
≤
4.6 (max))
V
1
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
CC
Iout
–0.5 to +4.6
V
1
50
mA
Operating temperature
Topr
0 to +70 (Tj max = 110)
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Respect to V
SS
Tstg
–55 to +125
DC Operating Conditions
(Tcase = 0 to +70
°
C [Tj max = 110
°
C])
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
3.0
3.6
V
1, 2
0
0
V
3
Input high voltage
2.0
V
CC
+ 0.3
0.8
V
1, 4
Input low voltage
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
2. The supply voltage with all V
CC
pins must be on the same level.
3. The supply voltage with all V
SS
pins must be on the same level.
4. V
IH
(max) = V
CC
+ 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
CC
.
5. V
IL
(min) = V
SS
– 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
SS
.
–0.3
V
1, 5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5225645F-B60 | 256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/100 SDRAM |
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