參數(shù)資料
型號: HM5225165BTT-B6
廠商: ELPIDA MEMORY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述: 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù): 59/63頁
文件大?。?/td> 462K
代理商: HM5225165BTT-B6
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
59
Auto Refresh Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
CLK
CKE
CS
CAS
WE
BS
Address
DQM,
DQMU/DQML
DQ (input)
DQ (output)
High-Z
RP
Precharge
Auto Refresh
Active
t
RC
t
RC
t
Auto Refresh
Read
R:a
C:a
A10=1
RAS
a
a+1
V
IH
Refresh cycle and
Read cycle
RAS
-
CAS
delay = 2
CAS
latency = 2
Burst length = 4
= V or V
IL
Self Refresh Cycle
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
BS
Address
DQM,
DQMU/DQML
DQ (input)
DQ (output)
Precharge command
Self refresh entry
Auto
Self refresh exit
CKE Low
A10=1
RC
t
RP
t
Self refresh cycle
RAS
-
CAS
delay = 3
CAS
latency = 3
Burst length = 4
= V or V
IL
High-Z
Next
RC
t
Next
l
SREX
Self refresh entry
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PDF描述
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