參數(shù)資料
型號(hào)： HM5225165BTT-75
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述： 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 47/63頁
文件大小： 462K
代理商： HM5225165BTT-75
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
47
DC Characteristics
(Ta = 0 to +70
C, V
CC
, V
CC
Q = 3.3 V ± 0.3 V, V
SS
, V
SS
Q = 0 V)
(HM5225805B)
HM5225805B
-75
-A6
-B6
Parameter
Symbol
Min
Max Min
Max Min
Max Unit
Test conditions
Notes
Operating current
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
I
CC1
I
CC1
I
CC2P
—
110
—
95
—
75
mA
Burst length = 1
t
RC
= min
1, 2, 3
—
110
—
95
—
95
mA
Standby current in power
down
—
3
—
3
—
3
mA
CKE = V
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
6
Standby current in power
down (input signal stable)
I
CC2PS
—
2
—
2
—
2
mA
7
Standby current in non
power down
I
CC2N
—
20
—
20
—
20
mA
CKE,
CS
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IH
, t
CK
=
∞
4
Standby current in non
power down (input signal
stable)
I
CC2NS
—
9
—
9
—
9
mA
9
Active standby current in
power down
I
CC3P
—
4
—
4
—
4
mA
CKE = V
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
1, 2, 6
Active standby current in
power down (input signal
stable)
I
CC3PS
—
3
—
3
—
3
mA
2, 7
Active standby current in
non power down
I
CC3N
—
30
—
30
—
30
mA
CKE,
CS
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IH
, t
CK
=
∞
1, 2, 4
Active standby current in
non power down (input
signal stable)
I
CC3NS
—
15
—
15
—
15
mA
2, 9
Burst operating current
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
I
CC4
I
CC4
I
CC5
I
CC6
—
100
—
100
—
75
mA
t
CK
= min, BL = 4
1, 2, 5
—
135
—
100
—
100
mA
Refresh current
—
220
—
220
—
220
mA
t
RC
= min
V
IH
≥
V
–
0.2 V
V
IL
≤
0.2 V
3
Self refresh current
—
3
—
3
—
3
mA
8
Self refresh current
(L-version)
I
CC6
—
2
—
2
—
2
mA
Input leakage current
I
LI
I
LO
–
1
1
–
1
1
–
1
1
μA
0
≤
Vin
≤
V
CC
0
≤
Vout
≤
V
CC
DQ = disable
Output leakage current
–
1.5 1.5
–
1.5 1.5
–
1.5 1.5
μA
Output high voltage
V
OH
V
OL
2.4
—
2.4
—
2.4
—
V
I
OH
=
–
4 mA
I
OL
= 4 mA
Output low voltage
—
0.4
—
0.4
—
0.4
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5225805BLTT-A6 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225405B-B6 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225405BLTT-75 POT 20K OHM 9MM HORZ NO BUSHING
HM5225405BLTT-A6 POT 5K OHM 9MM HORZ NO BUSHING
HM5225805B-B6 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
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參數(shù)描述
HM5225165BTT-A6 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225165BTT-B6 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225325F-B60 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/100 SDRAM
HM5225325FBP-B60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 SDRAM
HM5225405B-75 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
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