參數(shù)資料
型號(hào)： HM5212165F
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 128M LVTTL interface SDRAM(128M LVTTL 接口同步DRAM)
中文描述： 128M的LVTTL接口的SDRAM（128M的LVTTL接口同步的DRAM）
文件頁(yè)數(shù)： 48/63頁(yè)
文件大小： 858K
代理商： HM5212165F
HM5212165F/HM5212805F-75/A60/B60
48
AC Characteristics
(Ta = 0 to +70C, V
CC
, V
CC
Q = 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
, V
SS
Q = 0 V)
HM5212165F/
HM5212805F
-75
-A60
-B60
Parameter
HITACHI
Symbol
PC/100
Symbol Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit Notes
System clock cycle time
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
t
CK
t
CK
t
CKH
t
CKL
Tclk
10
—
10
—
15
—
ns
1
Tclk
7.5
—
10
—
10
—
ns
CLK high pulse width
Tch
2.5
—
3
—
3
—
ns
1
CLK low pulse width
Tcl
2.5
—
3
—
3
—
ns
1
Access time from CLK
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
t
AC
t
AC
t
OH
t
LZ
Tac
—
6
—
6
—
8
ns
1, 2
Tac
—
5.4
—
6
—
6
ns
Data-out hold time
Toh
2.7
—
3
—
3
—
ns
1, 2
CLK to Data-out low
impedance
2
—
2
—
2
—
ns
1, 2, 3
CLK to Data-out high
impedance
(
CAS
latency = 2, 3)
t
HZ
—
5.4
—
6
—
6
ns
1, 4
Input setup time
t
AS
, t
CS
, t
DS
,
t
CES
t
CESP
Tsi
1.5
—
2
—
2
—
ns
1, 5, 6
CKE setup time for power
down exit
Tpde
1.5
—
2
—
2
—
ns
1
Input hold time
t
AH
, t
CH
, t
DH
,
t
CEH
t
RC
Thi
0.8
—
1
—
1
—
ns
1, 5
Ref/Active to Ref/Active
command period
Trc
67.5 —
70
—
70
—
ns
1
Active to Precharge
command period
t
RAS
Tras
45
120000 50
120000 50
120000 ns
1
Active command to column
command (same bank)
t
RCD
Trcd
20
—
20
—
20
—
ns
1
Precharge to active
command period
t
RP
Trp
20
—
20
—
20
—
ns
1
Write recovery or data-in to
precharge lead time
t
DPL
Tdpl
10
—
10
—
10
—
ns
1
Active (a) to Active (b)
command period
t
RRD
Trrd
15
—
20
—
20
—
ns
1
Transition time (rise and fall)
t
T
t
REF
1
5
1
5
1
5
ns
Refresh period
—
64
—
64
—
64
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5225165BTT-75 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225805BLTT-A6 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225405B-B6 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225405BLTT-75 POT 20K OHM 9MM HORZ NO BUSHING
HM5225405BLTT-A6 POT 5K OHM 9MM HORZ NO BUSHING
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參數(shù)描述
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HM5212165FLTD-A60 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 2-Mword X 16-bit X 4-bank/4-Mword X 8-bit X 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5212165FLTD-B60 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 2-Mword X 16-bit X 4-bank/4-Mword X 8-bit X 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5212165FTD-75 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 2-Mword X 16-bit X 4-bank/4-Mword X 8-bit X 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5212165FTD-A60 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 2-Mword × 16-bit × 4-bank/4-Mword × 8-bit × 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
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