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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM3669 |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | HM3669 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HM3669
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : Preliminary Data
Issued Date : 2000.07.01
Revised Date : 2000.07.01
Page No. : 1/3
HSMC Product Specification
Description
The HM3669 is designed for using in power amplifier applications,
power switching application.
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25
°
C)
Maximum Temperatures
Tstg Storage Temperature .................................................................................... -55 ~ +150
°
C
Tj Junction Temperature ................................................................................................ +150
°
C
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C)...................................................................................... 1 W
Maximum Voltages and Currents
BVCBO Collector to Base Breakdown Voltage................................................................... 80 V
BVCEO Collector to Emitter Breakdown Voltage................................................................ 80 V
BVEBO Emitter to Base Emitter Breakdown Voltage............................................................ 5 V
IC Collector Current (DC)...................................................................................................... 2 A
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
*hFE
fT
Cob
Ton
Tstg
Tf
Min.
80
80
5
-
-
-
-
300
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
0.15
0.9
-
100
30
0.2
1
0.2
Max.
-
-
-
1000
1000
0.5
1.2
-
-
-
-
-
-
Unit
V
V
V
nA
nA
V
V
Test Conditions
IC=100uA
IC=10mA
IE=100uA
VCB=80V
VEB=5V
IC=1A, IB=50mA
IC=1A, IB=50mA
VCE=2V, IC=500mA
VCE=2V, IC=500mA
VCB=10V, f=1MHz
MHz
pF
uS
uS
uS
IB1=-IB2=50mA, Duty Cycle
1%
*Pulse Test : Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM3904 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HM3906 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HM44 | FILTER EMI FERRITE Z300@100M |
| HM54 | High Current Toroidal Inductors |
| HM5450R42VLF | High Current Toroidal Inductors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM3-6728K-5 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| HM37-1007R17LF | 功能描述:HIGH CURRENT FERRITE INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM37 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.9MHz |
| HM37-1007R19LF | 功能描述:HIGH CURRENT FERRITE INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM37 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.9MHz |
| HM37-1609R32LF | 功能描述:HIGH CURRENT FERRITE INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM37 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.9MHz |
| HM3-7602-5 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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