型號: | HIP6601BECB |
廠商: | INTERSIL CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers |
中文描述: | 0.73 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 |
封裝: | PLASTIC, EPSOIC-8 |
文件頁數(shù): | 10/11頁 |
文件大?。?/td> | 346K |
代理商: | HIP6601BECB |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
HIP6603BECB | Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers |
HIP6601BECB-T | CONNECTOR |
HIP6603BECB-T | Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers |
HIP7038A8F | J1850 8-Bit 68HC05 Microcontroller 8K EEPROM Version |
HIP7038A8 | J1850 8-Bit 68HC05 Microcontroller 8K EEPROM Version |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
HIP6601BECB-T | 功能描述:IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動):- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6,D²Pak(5 引線+接片),TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件 |
HIP6601BECBZ | 功能描述:功率驅(qū)動器IC SYNCHRONUSCTIFIED BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
HIP6601BECBZA | 功能描述:功率驅(qū)動器IC W/ANNEAL SYNCHRONUSC BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
HIP6601BECBZA-T | 功能描述:功率驅(qū)動器IC W/ANNEAL SYNCHRONUSC BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
HIP6601BECBZ-T | 功能描述:功率驅(qū)動器IC SYNCHRONUSCTIFIED BUCK MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |