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參數(shù)資料
| 型號： | HHB10-0R7A550V |
| 元件分類： | 通用定值電感 |
| 英文描述： | 1 ELEMENT, 170 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | HHB10-0R7A550V |
QS043-402-（3/5）
00
日本インター株式會社
ＰＢＭＢ５０Ｅ６
01
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Co
lle
ct
or
Cu
rr
en
tI
C
(A
)
Fig.1- Output Characteristics (Typical)
TC=25°C
11V
10V
VGE=20V
9V
8V
12V
15V
01
2
3
4
5
0
10
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30
40
50
60
70
80
90
100
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Co
lle
ct
or
Cu
rr
en
tI
C
(A
)
Fig.2- Output Characteristics (Typical)
TC=125°C
11V
10V
VGE=20V
9V
8V
12V
15V
04
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
C
oll
ec
to
r
to
E
m
itt
er
V
olt
ag
eV
CE
(V
)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
TC=25°C
IC=25A
100A
50A
0
4
8
121620
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
C
oll
ec
to
r
to
E
m
itt
er
V
olt
ag
eV
CE
(V
)
Fig.4- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
IC=25A
100A
TC=125°C
50A
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Total Gate Charge Qg (nC)
C
ol
le
ct
or
to
E
m
itte
rV
ol
ta
ge
V
CE
(V
)
G
ate
to
E
m
itte
rV
olt
ag
eV
GE
(V
)
Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VCE=300V
200V
100V
RL=6.0
TC=25°C
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
30
100
300
1000
3000
10000
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
C
apa
ci
ta
nc
eC
(
pF
)
Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
Cies
Coes
Cres
VGE=0V
f=1MHZ
TC=25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HI1853-O-P-000 | OTHER DECODER/DRIVER, PDIP16 |
| HIN202ACP | LINE TRANSCEIVER, PDIP16 |
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| HIN202ACBN-T | DUAL LINE TRANSCEIVER, PDSO16 |
| HIN202ACB-T | LINE TRANSCEIVER, PDSO16 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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