型號: | HGTP3N60A4_NL |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 600V, NPT Series N-Channel IGBT |
中文描述: | 17 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
封裝: | TO-220AB, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 6/8頁 |
文件大小: | 189K |
代理商: | HGTP3N60A4_NL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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HGTP3N60A4D_NL | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
HGTP7N60A4_NL | 600V SMPS Series N-Channel IGBT |
HGXO0A-N-SM5-FREQ,10/40/-/M | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 0.46 MHz - 50 MHz, CMOS OUTPUT |
HGXO2F-N-50.0M,10/40/-/M | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 50 MHz, CMOS OUTPUT |
HGXO2G-N-32.0M,10/40/-/M | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 32 MHz, CMOS OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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HGTP3N60B3D | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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HGTP3N60C3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
HGTP3N60C3D | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |