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參數(shù)資料
| 型號： | HGTD7N60B3S9A |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 14 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-4 |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 328K |
| 代理商： | HGTD7N60B3S9A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HHS45-033-0C | 1-OUTPUT DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| HHSC-105-06.00-SE-SU | INTERCONNECTION DEVICE |
| HHSC-125-03.75-SE-TE | INTERCONNECTION DEVICE |
| HHSC-108-03.75-TU-SU | INTERCONNECTION DEVICE |
| HHSC-115-03.75-SU-SE | INTERCONNECTION DEVICE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HGTD7N60C3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HGTD7N60C3S | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HGTD7N60C3S9A | 功能描述:IGBT 晶體管 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| HGTD8P50G1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HGTD8P50G1S | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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