| 型號(hào)： | HGTD1N120BNS9A |
| 廠(chǎng)商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| IGBT 類(lèi)型： | NPT |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）： | 2.9V @ 15V，1A |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）： | 5.3A |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 輸入類(lèi)型： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-252AA |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |