參數(shù)資料
型號： HGT1S7N60B3S9A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 14 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 136K
代理商： HGT1S7N60B3S9A
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTD7N60B3S, HGT1S7N60B3S, HGTP7N60B3 Rev. B
FIGURE 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 16. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Typical Performance Curves Unless Otherwise Specified (Continued)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
5
10
15
20
25
0
200
C,
CAP
A
C
IT
ANCE
(
p
F
)
400
600
800
1000
1200
FREQUENCY = 1MHz
CIES
COES
CRES
t1, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10-5
10-3
100
101
10-4
10-1
10-2
100
Z
θJC
,
N
O
R
MA
LI
ZED
TH
ER
MA
L
R
E
S
P
O
N
SE
10-1
10-2
t1
t2
PD
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR, D = t1 / t2
PEAK TJ = (PD X ZθJC X RθJC) + TC
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 17. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 18. SWITCHING TEST WAVEFORMS
RG = 50
L = 2mH
VDD = 480V
+
-
RHRD660
tfI
td(OFF)I
trI
td(ON)I
10%
90%
10%
90%
VCE
ICE
VGE
EOFF
EON2
HGTD7N60B3S, HGT1S7N60B3S, HGTP7N60B3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTD7N60B3S9A 14 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
HHS45-033-0C 1-OUTPUT DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
HHSC-105-06.00-SE-SU INTERCONNECTION DEVICE
HHSC-125-03.75-SE-TE INTERCONNECTION DEVICE
HHSC-108-03.75-TU-SU INTERCONNECTION DEVICE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGT1S7N60C3D 功能描述:IGBT 晶體管 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT1S7N60C3DS 功能描述:IGBT 晶體管 7A 600V TF=275NS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT1S7N60C3DS9A 功能描述:IGBT 晶體管 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT1Y40N60B3D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGT1Y40N60C3D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-264
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