型號(hào): | HGT1S20N35G3VLS9A |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 380V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-263AB |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 380v整機(jī)五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展|甲一(c)|至263AB |
文件頁(yè)數(shù): | 1/7頁(yè) |
文件大?。?/td> | 115K |
代理商: | HGT1S20N35G3VLS9A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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HGT1S20N60B3S9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-263AB |
HGT1S20N60C3 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | TO-262AA |
HGT1S2N120BNDS9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 5.6A I(C) | TO-263AB |
HGT1S2N120BNS9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 12A I(C) | TO-263AB |
HGT1S2N120CNDS9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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HGT1S20N36G3VL | 功能描述:IGBT 晶體管 20A 360V Clamp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
HGT1S20N36G3VLS | 功能描述:IGBT 晶體管 20A 360V Clamp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
HGT1S20N60A4S9A | 功能描述:IGBT 晶體管 600V SMPS SERIES NCH IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
HGT1S20N60B3S | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
HGT1S20N60B3S9A | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-263AB |