| 型號： | HGT1S10N120BNS |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 50 |
| IGBT 類型： | NPT |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic時的最大Vce（開）： | 2.7V @ 15V，10A |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）： | 35A |
| 功率 - 最大： | 298W |
| 輸入類型： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-263AB |
| 包裝： | 管件 |
| 其它名稱： | HGT1S10N120BNS-ND HGT1S10N120BNSFS |