參數(shù)資料
型號： HFA70NC60CSM
英文描述： 600V 70A HEXFRED Common Cathode Diode in a D61-8-SM package
中文描述： 600V的第70A HEXFRED二極共陰極二極管- 8 -釤封裝，D61
文件頁數(shù)： 1/5頁
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代理商： HFA70NC60CSM
PD -2.464 rev. B 01/99
Reduced RFI and EMI
Reduced Snubbing
Extensive Characterization of
Recovery Parameters
Features
Description
HEXFRED
power conditioning systems. An extensive characterization of the recovery
behavior for different values of current, temperature and di/dt simplifies the
calculations of losses in the operating conditions. The softness of the recovery
eliminates the need for a snubber in most applications. These devices are ideally
suited for power converters, motors drives and other applications where
switching losses are significant portion of the total losses.
TM
diodes are optimized to reduce losses and EMI/RFI in high frequency
Ultrafast, Soft Recovery Diode
HEXFRED
TM
HFA70NC60C
Absolute Maximum Ratings (per Leg)
Parameter
V
R
Cathode-to-Anode Voltage
I
F
@ T
C
= 25°C
Continuous Forward Current
I
F
@ T
C
= 100°C
Continuous Forward Current
I
FSM
Single Pulse Forward Current
E
AS
Non-Repetitive Avalanche Energy
P
D
@ T
C
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@ T
C
= 100°C
Maximum Power Dissipation
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Note:
Limited by junction temperature
L = 100μH, duty cycle limited by max T
J
125°C
W
°C/W
K/W
Thermal - Mechanical Characteristics
Parameter
R
thJC
Junction-to-Case, Single Leg Conducting
Junction-to-Case, Both Legs Conducting
R
thCS
Case-to-Sink, Flat , Greased Surface
Wt
Weight
Mounting Torque
35 (4.0)
––––
50 (5.7)
D-61-8
Max.
600
56
27
200
220
150
59
Units
V
A
μJ
Min.
––––
––––
––––
––––
Typ.
––––
––––
0.30
Max.
0.85
0.42
––––
––––
Units
7.8 (0.28)
g (oz)
lbfin
(Nm)
V
R
= 600V
V
F
(typ.)
= 1.2V
I
F(AV)
= 70A
Q
rr
(typ.) = 210nC
I
RRM
(typ.)
= 6A
t
rr
(typ.)
= 30ns
di
(rec)M
/dt (typ.)
= 180A/μs
-55 to +150
°C
1
相關PDF資料
PDF描述
HFA70NH60R 600V 70A HEXFRED Discrete Reverse Diode in a D-67 Half-Pak package
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HFA70NH60 Ultrafast, Soft Recovery Diode
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參數(shù)描述
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