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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HE7601SG |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 27K |
| 代理商： | HE7601SG |
HE7601SG
GaAlAs Infrared Emitting Diode
ADE-208-996 (Z)
1st Edition
Dec. 2000
Description
The HE7601SG is a 770 nm band GaAlAs infrared emitting diode with a double heterojunction structure.
It is suitable as a light source for optical control devices and sensors.
Features
High efficiency and high output power
1
Internal Circuit
Package Type
HE7601SG: SG1
2
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HE7601SG_06 | 制造商:OPNEXT 制造商全稱:OPNEXT 功能描述:GaAlAs Infrared Emitting Diode |
| HE761 | 制造商:BOWEI 制造商全稱:BOWEI 功能描述:VGC Amplifier |
| HE762 | 制造商:BOWEI 制造商全稱:BOWEI 功能描述:VGC Amplifier |
| HE771 | 制造商:BOWEI 制造商全稱:BOWEI 功能描述:Reverse Isolation Amplifier |
| HE772 | 制造商:BOWEI 制造商全稱:BOWEI 功能描述:Reverse Isolation Amplifier |
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