參數(shù)資料
型號(hào)： HD64F2130XXXTF
英文描述： Microcontroller
中文描述： 微控制器
文件頁(yè)數(shù)： 565/891頁(yè)
文件大?。?/td> 3213K
代理商： HD64F2130XXXTF
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21.7.3
Erase Mode
Flash memory erasing should be performed block by block following the procedure shown in the
erase/erase-verify flowchart (single-block erase) shown in figure 21.13.
The wait times (x, y, z,
α, β, γ, ε, η) after setting/clearing individual bits in flash memory
control registers 1 and 2 (FLMCR1, FLMCR2) and the maximum number of erases (N) are
shown in table 24.13 in section 24.6, Flash Memory Characteristics.
To perform data or program erasure, make a 1 bit setting for the flash memory area to be erased
in erase block register 1 or 2 (EBR1 or EBR2) at least (x) s after setting the SWE bit to 1 in
flash memory control register 1 (FLMCR1). Next, the watchdog timer is set to prevent
overerasing in the event of program runaway, etc. Set a value greater than (y + z +
α + β) ms as
the WDT overflow period. After this, preparation for erase mode (erase setup) is carried out by
setting the ESU bit in FLMCR2, and after the elapse of (y) s or more, the operating mode is
switched to erase mode by setting the E bit in FLMCR1. The time during which the E bit is set is
the flash memory erase time. Ensure that the erase time does not exceed (z) ms.
Note:
With flash memory erasing, preprogramming (setting all data in the memory to be erased
to 0) is not necessary before starting the erase procedure.
21.7.4
Erase-Verify Mode
In erase-verify mode, data is read after memory has been erased to check whether it has been
correctly erased.
After the elapse of the erase time, erase mode is exited (the E bit in FLMCR1 is cleared, then the
ESU bit in FLMCR2 is cleared at least (
α) s later), the watchdog timer is cleared after the
elapse of (
β) s or more, and the operating mode is switched to erase-verify mode by setting the
EV bit in FLMCR1. Before reading in erase-verify mode, a dummy write of H'FF data should be
made to the addresses to be read. The dummy write should be executed after the elapse of (
γ) s
or more. When the flash memory is read in this state (verify data is read in 16-bit units), the data
at the latched address is read. Wait at least (
ε) s after the dummy write before performing this
read operation. If the read data has been erased (all 1), a dummy write is performed to the next
address, and erase-verify is performed. If the read data has not been erased, set erase mode
again, and repeat the erase/erase-verify sequence in the same way. However, ensure that the
erase/erase-verify sequence is not repeated more than (N) times. When verification is completed,
exit erase-verify mode, and wait for at least (
η) s. If erasure has been completed on all the erase
blocks, clear the SWE bit in FLMCR1. If there are any unerased blocks, make a 1 bit setting in
EBR1 or EBR2 for the flash memory area to be erased, and repeat the erase/erase-verify
sequence in the same way.
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