參數(shù)資料
型號(hào)： HD64F2130XXXFA
英文描述： Microcontroller
中文描述： 微控制器
文件頁(yè)數(shù)： 562/891頁(yè)
文件大小： 3213K
代理商： HD64F2130XXXFA
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21.7
Programming/Erasing Flash Memory
In the on-board programming modes, flash memory programming and erasing is performed by
software, using the CPU. There are four flash memory operating modes: program mode, erase
mode, program-verify mode, and erase-verify mode. Transitions to these modes can be made by
setting the PSU and ESU bits in FLMCR2, and the P, E, PV, and EV bits in FLMCR1.
The flash memory cannot be read while being programmed or erased. Therefore, the program
that controls flash memory programming/erasing (the programming control program) should be
located and executed in on-chip RAM or external memory.
Notes: 1. Operation is not guaranteed if setting/resetting of the SWE, EV, PV, E, and P bits in
FLMCR1, and the ESU and PSU bits in FLMCR2, is executed by a program in flash
memory.
2. Perform programming in the erased state. Do not perform additional programming on
previously programmed addresses.
21.7.1
Program Mode
Follow the procedure shown in the program/program-verify flowchart in figure 21.12 to write
data or programs to flash memory. Performing program operations according to this flowchart
will enable data or programs to be written to flash memory without subjecting the device to
voltage stress or sacrificing program data reliability. Programming should be carried out 32
bytes at a time.
The wait times (x, y, z,
α, β, γ, ε, η) after setting/clearing individual bits in flash memory
control registers 1 and 2 (FLMCR1, FLMCR2) and the maximum number of writes (N) are
shown in table 24.13 in section 24.6, Flash Memory Characteristics.
Following the elapse of (x) s or more after the SWE bit is set to 1 in flash memory control
register 1 (FLMCR1), 32-byte program data is stored in the program data area and reprogram
data area, and the 32-byte data in the reprogram data area written consecutively to the write
addresses. The lower 8 bits of the first address written to must be H'00, H'20, H'40, H'60, H'80,
H'A0, H'C0, or H'E0. Thirty-two consecutive byte data transfers are performed. The program
address and program data are latched in the flash memory. A 32-byte data transfer must be
performed even if writing fewer than 32 bytes; in this case, H'FF data must be written to the
extra addresses.
Next, the watchdog timer is set to prevent overprogramming in the event of program runaway,
etc. Set a value greater than (y + z +
α + β) s as the WDT overflow period. After this,
preparation for program mode (program setup) is carried out by setting the PSU bit in FLMCR2,
and after the elapse of (y) s or more, the operating mode is switched to program mode by
setting the P bit in FLMCR1. The time during which the P bit is set is the flash memory
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