參數(shù)資料
型號： HD6433337YTF
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Hitachi Single Chip Microcomputer
中文描述： 日立單片機
文件頁數(shù)： 461/746頁
文件大?。?/td> 2666K
代理商： HD6433337YTF
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432
Table 19.18
DC Characteristics of Flash Memory
Conditions: V
CC
= 2.7 V to 5.5 V
*2
, AV
CC
= 2.7 V to 5.5 V
*2
,V
SS
= AV
SS
= 0 V,
V
PP
= 12.0 ± 0.6 V, T
a
= –20°C to +75°C (regular specifications), T
a
= –40°C to
+85°C (wide-range specifications)
Item
High-voltage (12 V)
threshold level
*
1
FV
PP
current
Symbol
V
H
Min
V
CC
+ 2
Typ
—
Max
11.4
Unit
V
Test Conditions
FV
PP
, MD
1
During read
I
PP
—
—
—
—
10
20
10
20
40
μA
mA
mA
V
PP
= 2.7 to 5.5 V
V
PP
= 12.6 V
During
programming
During erasure
—
20
40
mA
Notes:
*
1 The listed voltages indicate the threshold level at which high-voltage application is
recognized. In boot mode and while flash memory is being programmed or erased, the
applied voltage should be 12.0 V ± 0.6 V.
*
2 In the LH version, V
CC
= 3.0 V to 5.5 V, AV
CC
= 3.0 V to 5.5 V
Table 19.19
AC Characteristics of Flash Memory
Conditions: V
CC
= 2.7 V to 5.5 V
*5
, AV
CC
= 2.7 V to 5.5 V
*5
, V
SS
= AV
SS
= 0 V,
V
PP
= 12.0 ± 0.6 V, T
a
= –20°C to +75°C (regular specifications), T
a
= –40°C to
+85°C (wide-range specifications)
Item
Programming time
*
1,
*
2
Erase time
*
1,
*
3
Number of writing/erasing count
Verify setup time 1
*
1
Verify setup time 2
*
1
Flash memory read setup time
*
4
Symbol
t
P
t
E
N
WEC
t
VS1
t
VS2
t
FRS
Min
—
—
—
4
2
50
100
Typ
50
1
—
—
—
—
—
Max
1000
30
100
—
—
—
—
Unit
μs
s
Times
μs
μs
μs
Test Conditions
V
CC
≥
4.5 V
V
CC
< 4.5 V
Notes:
*
1 Set the times following the programming/erasing algorithm shown in section 19.
*
2 The programming time is the time during which a byte is programmed or the P bit in the
flash memory control register (FLMCR) is set. It does not include the program-verify
time.
*
3 The erase time is the time during which all 32-kbyte blocks are erased or the E bit in the
flash memory control register (FLMCR) is set. It does not include the prewrite time
before erasure or erase-verify time.
*
4 After power-on when using an external clock source, after return from standby mode, or
after switching the programming voltage (V
) from 12 V to V
CC
, make sure that this read
setup time has elapsed before reading flash memory.
When V
is released, the flash memory read setup time is defined as the period from
when the FV
PP
pin has reached V
CC
+ 2 V until flash memory can be read.
*
5 In the LH version, V
CC
= 3.0 V to 5.5 V, AV
CC
= 3.0 V to 5.5 V.
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