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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HCT700 |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SWITCHING TRANSISTORS IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS |
| 中文描述： | 800 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 113K |
| 代理商： | HCT700 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HD00CFY | TRANSISTOR OUTPUT SOLID STATE RELAY |
| HD14066BP | QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDIP14 |
| HD155008T | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 1100 MHz, PDSO20 |
| HD63A03RCG | 8-BIT MICROCONTROLLER |
| HD63A03RCP | 8-BIT MICROCONTROLLER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HCT7000 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N- Channel En hance ment Mode MOS Transistor |
| HCT7000M | 功能描述:MOSFET N-Chan Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HCT7000MTX | 功能描述:MOSFET N- Channel enhancement mode transisitor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HCT7000MTXV | 功能描述:MOSFET N- Channel enhancement mode transisitor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HCT700TX | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6 Pin SMT NPN/PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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