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參數(shù)資料
| 型號： | HCT7000MTX |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | N- Channel En hance ment Mode MOS Transistor |
| 中文描述： | N溝道恩漢斯精神疾病模式的MOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 241K |
| 代理商： | HCT7000MTX |
Fea ures
200mA I
D
Ultra small surface mount package
R
DS(ON)
<
5
Pin-out compatible with most SOT23
MOSFETS
De scrip ion
The HCT7000M is a high performance
enhancement mode N-channel MOS
transistor chip packaged in the ultra
small 3 pin ceramic LCC package.
Electrical characteristics are similar to
those of the JEDEC 2N7000. The pin-
out and footprint matches that of most
enhancement mode MOS transistors
built in SOT23 plastic packages.
The HCT7000M is available processed
to TX and TXV levels per MIL-PRF-
19500. Order HCT7000MTX or
HCT7000MTXV. Typical screening and
lot acceptance tests are provided on
page 13-4. TX and TXV products
receive a V
GS
HTRB at 24 V for 48 hrs.
at 150
o
C and a V
DS
HTRB at 48 V for
260 hrs. at 150
C.
Ab so ute Maxi mum Rat ngs
Drain- Source Volt age . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V
Gate- Source Volt age. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
40 V
Drain Cur ent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 mA
Power Dis si pa ion (T
= 25
o
C). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 mW
Power Dis si pa ion (T
A
= 25
o
C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600 mW
(2)
Op er at ng and Stor age Tem pera ure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C to +150
o
C
Ther mal Re sis ance R
JC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
100
o
C/W
Ther mal Re sis ance R
JA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 583
o
C/W
Notes:
(1) T
S
= Substrate temperature that the chip carrier is mounted on.
(2) This rating is provided as an aid to designers. It is dependent upon mounting material and
methods and is not measurable as an outgoing test.
Prod uct Bul e in HCT7000M
Janu ary 1996
N- Channel En hance ment Mode MOS Tran sis or
Type HCT7000M, HCT7000MTX, HCT7000MTXV
Op ek Tech nol ogy, Inc. 1215 W. Crosby Road Car oll on, Texas 75006 (972) 323- 2200 Fax (972) 323- 2396
15-36
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HCTL-1000 | General Purpose Motion Control Ics(通用動(dòng)作控制芯片) |
| HCTL-1100 | 1/2 W |
| HCX-7S | SURFACE MOUNT CRYSTAL |
| HD01 | TRIAC-600VRM-25A-TO220 |
| HD02 | TRIAC,200V V(DRM),25A I(T)RMS,TO-220 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HCT7000MTXV | 功能描述:MOSFET N- Channel enhancement mode transisitor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| HCT700TX | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6 Pin SMT NPN/PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| HCT700TXV | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6 Pin SMT NPN/PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| HCT720 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | LLCC |
| HCT74 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:DUAL D-TYPE POSITIVE-EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOPS WITH CLEAR AND PRESET |
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