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參數資料
| 型號： | HB56UW1673E |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| 中文描述： | EDO公司的DRAM 128MB的內存緩沖（128MB的緩沖EDO公司的DRAM內存） |
| 文件頁數： | 1/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 413K |
| 代理商： | HB56UW1673E |
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Preliminary: The specification of this device are subject to change without notice. Please contact your
nearest Hitachi’s Sales Dept. regarding specification.
HB56UW1673E-F
128MB Buffered EDO DRAM DIMM
16-Mword
×
72-bit, 4k Refresh, 1 Bank Module
(18 pcs of 16M
×
4 components)
ADE-203-1123 (Z)
Preliminary
Rev. 0.0
Sep.30, 1999
Description
The HB56UW1673E belongs to 8-byte DIMM (Dual in-line Memory Module) family , and have been
developed an optimized main memory solution for 4 and 8-byte processor applications. The
HB56UW1673E is a 16 M
×
72 Dynamic RAM Module, mounted 18 pieces of 64-Mbit DRAM
(HM5165405) sealed in TSOP package and 2 pieces of 16-bit line driver sealed in TSSOP package. The
HB56UW1673E offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline of
the HB56UW1673E is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the HB56UW1673E makes
high density mounting possible without surface mount technology. The HB56UW1673E provides common
data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside each TSOP on the its module board.
Features
168-pin socket type package (Dual lead out)
Lead pitch : 1.27 mm
Single 3.3 V supply : 3.3
±
0.3 V
High speed
Access time: t
RAC
= 50 ns/60 ns (max)
Access time: t
CAC
= 18 ns/20 ns (max)
Low power dissipation
Active mode: 8.46 W/7.16 W (max)
Standby mode (TTL): 166 mW (max)
Buffered input except
RAS
and DQ
4 byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB56UW3272ETK | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| HBAT-5400 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-540B | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-5402 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-540C | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HB56UW1673E-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW1673E-5F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW1673E-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW1673E-6A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW1673E-6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
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