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參數(shù)資料
| 型號： | HB52RF329E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 6/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 869K |
| 代理商： | HB52RF329E2 |
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HB52RF329E2-75F
6
Serial PD Matrix*
1
Byte No. Function described
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments
0
Number of bytes used by
module manufacturer
1
0
0
0
0
0
0
0
80
128
1
Total SPD memory size
0
0
0
0
1
0
0
0
08
256 byte
2
Memory type
0
0
0
0
0
1
0
0
04
SDRAM
3
Number of row addresses bits
0
0
0
0
1
1
0
0
0C
12
4
Number of column addresses
bits
0
0
0
0
1
0
1
0
0A
10
5
Number of banks
0
0
0
0
0
0
1
0
02
2
6
Module data width
0
1
0
0
1
0
0
0
48
72 bit
7
Module data width (continued)
0
0
0
0
0
0
0
0
00
0 (+)
8
Module interface signal levels
0
0
0
0
0
0
0
1
01
LVTTL
9
SDRAM cycle time
(highest
CE
latency)
7.5 ns
0
1
1
1
0
1
0
1
75
CL = 3
10
SDRAM access from Clock
(highest
CE
latency)
5.4 ns
0
1
0
1
0
1
0
0
54
*
5
11
Module configuration type
0
0
0
0
0
0
1
0
02
ECC
12
Refresh rate/type
1
0
0
0
0
0
0
0
80
Normal
(15.625
μ
s)
Self refresh
13
SDRAM width
0
0
0
0
0
1
0
0
04
16M
×
4
×
4
14
Error checking SDRAM width
0
0
0
0
0
1
0
0
04
15
SDRAM device attributes:
minimum clock delay for back-to-
back random column addresses
0
0
0
0
0
0
0
1
01
1 CLK
16
SDRAM device attributes:
Burst lengths supported
1
0
0
0
1
1
1
1
8F
1, 2, 4, 8,
full page
17
SDRAM device attributes:
number of banks on SDRAM
device
0
0
0
0
0
1
0
0
04
4
18
SDRAM device attributes:
CE
latency
0
0
0
0
0
1
1
0
06
2, 3
19
SDRAM device attributes:
S
latency
0
0
0
0
0
0
0
1
01
0
20
SDRAM device attributes:
W
latency
0
0
0
0
0
0
0
1
01
0
21
SDRAM device attributes
0
0
0
1
0
1
1
0
16
Registered
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52RF648DC-B | 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RD648DC-B | 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RF649DC | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
| HB52RD649DC-A6B | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
| HB52RD649DC-A6BL | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52RF329E2-75F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-75B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-75BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RF649DC | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
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