參數資料
型號： HAT2170H
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel MOSFET Power Switching
中文描述： 硅N溝道MOSFET功率開關
文件頁數： 4/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： HAT2170H
HAT2170H
Rev.5.00, Sep 26, 2005, page 4 of 7
Case Temperature Tc (
°
C)
S
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
F
Drain Current I
D
(A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Drain Current I
D
(A)
S
Switching Characteristics
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
3
30
0.1
1
10
100
0.3
10
1000
100
30
300
1
0.3
3
0.1
Tc = –25
°
C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
75
°
C
25
°
C
10
8
6
4
2
-25
0
25
50
75
100 125
150
0
I
D
= 10 A, 20 A
10 A, 20 A, 50 A
V
GS
= 7 V
10 V
Pulse Test
50 A
0
10
20
40
30
10000
3000
1000
300
100
30
10
Ciss
Coss
Crss
V
GS
= 0
f = 1 MHz
50
30
20
10
0
20
40
16
12
8
4
20
40
60
80
100
0
I
D
= 45 A
V
GS
V
DS
V
DD
= 5 V
10 V
25 V
V
DD
= 25 V
10 V
5 V
0.1
0.3
1
3
10
30
100
100
20
50
10
di / dt = 100 A /
μ
s
V
GS
= 0, Ta = 25
°
C
100
300
30
10
0.1 0.2
2
10
100
20
1
0.5
5
1000
50
3
V
GS
= 10 V, V
DD
= 10 V
Rg = 4.7
, PW = 5
μ
S
tr
td(on)
td(off)
tr
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PDF描述
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