參數(shù)資料
型號(hào)： HAT2168H
廠(chǎng)商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
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代理商： HAT2168H
HAT2168H
Rev.6.00, Jun.02.2003, page 7 of 10
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
V
DD
50
Vin
15 V
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(BR)DSS
L
V
DD
E
AR
= 1
I
AP
2
2
V
V - V
DSS
DD
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
25
20
15
10
5
25
50
75
100
125
150
0
Channel Temperature Tch (C)
R
A
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
I = 15 A
V = 15 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
50
40
30
20
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Pulse Test
5 V
V = 0
10 V
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PDF描述
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